Las corrientes continuas en el emisor y el colector en operación normal se hallan por:

La corriente interna de base es principalmente por difusión y

Dónde:

• I_E es la corriente de emisor.
• I_C es la corriente de colector.
• α_T es la ganancia de corriente directa en configuración base común. (de 0.98 a 0.998)
• I_ES es la corriente de saturación inversa del diodo base-emisor (en el orden de 10⁻¹⁵ a 10⁻¹² amperios)
• V_T es el voltaje térmico kT / q (aproximadamente 26 mV a temperatura ambiente ≈ 300 K).
• V_BE es la tensión base emisor.
• W es el ancho de la base.

La corriente de colector es ligeramente menor a la corriente de emisor, debido a que el valor de αT es muy cercano a 1,0. En el transistor de unión bipolar una pequeña variación de la corriente base-emisor genera un gran cambio en la corriente colector-emisor. La relación entre la corriente colector-emisor con la base-emisor es llamada ganancia, β o hFE. Un valor de β de 100 es típico para pequeños transistores bipolares. En una configuración típica, una señal de corriente muy débil circula a través de la unión base-emisor para controlar la corriente entre emisor-colector. β está relacionada con α a través de las siguientes relaciones:

Eficiencia del emisor:

Otras ecuaciones son usadas para describir las tres corrientes en cualquier región del transistor están expresadas más abajo. Estas ecuaciones están basadas en el modelo de transporte de un transistor de unión bipolar.

Dónde:

• i_C es la corriente de colector.
• i_B es la corriente de base.
• i_E es la corriente de emisor.
• β_F es la ganancia activa en emisor común (de 20 a 500)
• β_R es la ganancia inversa en emisor común (de 0 a 20)
• I_S es la corriente de saturación inversa (en el orden de 10⁻¹⁵ a 10⁻¹² amperios)
• V_T es el voltaje térmico kT / q (aproximadamente 26 mV a temperatura ambiente ≈ 300 K).
• V_BE es la tensión base-emisor.
• V_BC es la tensión base-colector.