base comun

Se puede explicar la acción básica de amplificación del transistor sobre un nivel superficial utilizando la red de la figura 4.23. La polaridad de corriente directa no aparece en la figura debido a que nuestro interés se limita a la respuesta en corriente alterna. Para la configuración de base común, la resistencia de corriente alterna de entrada determinada por las características de la figura 4.22 es muy pequeña y casi siempre varía entre 10 y 100. La resistencia de salida, según se determinó en las curvas de la figura 4.18 es muy alta (mientras más horizontales sean las curvas, mayor será la resistencia) y suele variar entre 50 k y 1 M. La diferencia en cuanto a resistencia se debe a la unión con polarización directa en la entrada (base-emisor) y a la unión con polarización inversa en la salida (base-colector). Utilizando un valor común de 20 para la resistencia de entrada, se encuentra que

Figura 4.22. Características del punto de entrada o manejo para un amplificador a transistor de silicio de base común.

Ii = Vi / Ri = 200mV / 20 = 10 mA

IL = Ii +10 mA
VL = ILR
= (10 mA)(5 k)
= 50 V

Figura 4.23. Acción básica de amplificador de voltaje de la configuración base común.

AV = VL / Vi = 50 V / 200 mV = 250

Los valores típicos de la amplificación de voltaje para la configuración de base común varían entre 50 y 300. La amplificación de corriente (IC / IE) es siempre menor que 1 para la configuración de la base común.

La acción básica de amplificación se produjo mediante la transferencia de una corriente i desde un circuito de aja resistencia a uno de alta.

Transferencia + Resistor ==> Transitor

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Construcción de Transistores

El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consiste de dos capas de material tipo n y una capa tipo p, o bien, de dos capas de material tipo p y una tipo n. al primero se le llama transistor npn, en tanto que al segundo transistor pnp.

Para la polarización las terminales que se muestran en la figura 4.14 las terminales se indican mediante las literales E para el emisor, C para el colector y B para la base. Se desarrollará una apreciación de la elección de esta notación cuando se analice la operación básica del transistor. La abreviatura BJT, de transistor bipolar de unión (del ingles, Bipolar Junction Transistor), suele aplicarse a este dispositivo de tres terminales. El término bipolar refleja el hecho de que los huecos y los electrones participan en el proceso de inyección hacia el material polarizado de forma opuesta. Si sólo se utiliza un portador (electrón o hueco), entonces se considera un dispositivo unipolar.


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